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DGIST, 차세대 메모리 반강자성체 제어기술 개발

DGIST, 차세대 메모리 반강자성체 제어기술 개발

기사승인 2021. 05. 18. 06:00
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DGIST 신물질과학전공 홍정일 교수/제공=DGIST
DGIST는 신물질과학전공 홍정일 교수 연구팀이 차세대 메모리에 적용되는 반강자성체에 기계적인 진동을 가해 자기정렬을 제어하는 기술을 최초 개발했다고 17일 밝혔다. 기존의 이진법을 뛰어넘는 멀티레벨 컴퓨터 기반 차세대 메모리 소자 등에 적용될 것으로 기대된다.

1990년대부터 자 성체를 활용한 스핀트로닉스 전자공학이 본격적으로 도입되면서 더 많은 정보의 저장 및 처리가 가능한 차세대 메모리, 정보처리 소자가 개발되고 있다. 스핀트로닉스는 자성체의 자기 상태를 전기적으로 제어해 정보를 처리하고 저장하는 기술로, 기존의 실리콘을 이용한 반도체 소자보다 훨씬 빠르고 효율적으로 데이터를 처리할 수 있다.

스핀트로닉스 기술을 활용한 차세대 메모리인 ‘스핀 메모리’를 포함한 다양한 스핀소자는 강자성체와 반강자성체의 결합 구조로 돼 있다. 일반적으로 강자성체의 내부 자기 배열상태는 똑같은 방향으로 배열돼 있어 외부자기장을 이용해 원하는 자기정렬 상태로 만들 수 있기 때문에 제어가 용이하다.

하지만 반강자성체의 내부 자기 배열상태는 서로 반대 방향으로 돼 있어 외부자기장에 의한 제어가 어렵다. 이 때문에 반강자성체 제어를 위해서는 현재까지 주로 열과 자기장을 이용해 원자들을 원하는 자기정렬 상태로 만드는 교환바이어스 설정법이 사용돼 왔다. 하지만 복잡한 프로세서를 가진 소자들의 특성상 특정 부위만을 제어하기 어렵고, 원하지 않는 다른 물성들이 손상이 일어나는 단점 때문에 열 제어의 한계가 있는 실정이다.

이에 홍 교수 연구팀은 열을 가하지 않고 기계적 진동을 이용해 원자 결정 구조의 미세 변형을 가해 원자간 자기 결합의 변화를 유도했다. 연구팀은 전압을 가하면 형태가 바뀌는 압전물질로 구성된 기판 위에 반강자성체로 된 박막을 덧씌웠다. 여기에 교류전압을 통한 기계적 진동을 주면 압전물질의 변형이 일어남과 동시에, 덧씌운 반강자성체 박막에 진동이 전해지면서 내부 자기배열상태를 임의로 변경할 수 있음을 확인했다. 또한 이를 반복적으로 인가(印加)해 자기 결합 상태를 재설정할 수도 있음을 추가로 알아냈다.

연구팀이 최초 개발한 이번 공정은 기존의 열을 이용한 방법보다 국소부위에 적용이 가능하고, 상온에서도 적용 가능해 에너지 효율면에서 훨씬 유리하다. 또한 반복된 작동으로 인해 자기정렬도가 떨어진 소자의 재설정이 가능해 소자의 기능회복을 통한 내구성을 높일 수 있게 됐다. 무엇보다 자기 정렬의 미세 패턴화가 가능해 기존의 소자와는 완전히 다른 작동 메커니즘의 스핀 소자를 설계할 수 있다는 점에서 의미가 크다.

홍 교수는 “기존 교환바이어스 설정법의 단점과 한계를 극복한 새로운 설정 방법을 제시해 반강자성체의 스핀트로닉스 활용 가능성을 높였다는 점에서 그 의의가 있다”면서 “향후 지속적으로 반강자성체의 제어 메카니즘을 이해하고 개발해 스핀 신소재 연구를 발전시키고자 한다”고 말했다.


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