SK하이닉스, 5.2조 투자 미에 AI용 칩 HBM 후공정 공장 건설

SK하이닉스, 미 인디애나주에 AI용 칩 차세대 HBM 후공정 공장 건설
2028년 하반기 양산 목표...38억7000만달러 투자 협약식
퍼듀대 등 미 연구기관과 반도체 연구·개발…미 정부 보조금 신청

조현동 주미 한국대사가 3일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트 라파예트에 위치한 퍼듀 대학에서 개최된 SK하이닉스 투자 발표 행사에 축사를 하고 있다. 아라티 프라바카르 백악관 과학기술정책실장(왼쪽)·토드 영 연방상원의원 등이 연설을 경청하고 있다./주미 한국대사관

SK하이닉스가 38억7000만달러(5조2200억원)를 투자해 미국 인디애나주에 차세대 인공 지능(AI)용 고대역폭 메모리(HBM) 어드밴스드 패키징(첨단 후공정) 생산공장을 짓는다.

SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 2028년 하반기 양산이 목표로 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 3일(현지시간) 밝혔다.

SK하이닉스는 이날 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대·미국 행정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고, 이 같은 계획을 공식 발표했다.

미국에 AI용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 짓는 것도 반도체 업계 최초다. 이를 통해 현재 시장 점유율 1위인 HBM 부문 우위를 강화한다는 계획이다.

SK하이닉스는 HBM 4세대인 HBM3를 AI 반도체 선두 기업인 엔비디아에 사실상 독점 공급하고 있으며, 5세대인 HBM3E도 지난달 말부터 고객사 공급을 시작한다고 밝혔다.

이날 행사에는 에릭 홀콤 인디애나 주지사·토드 영 연방상원의원·아라티 프라바카르 백악관 과학기술정책실장·아룬 벤카타라만 상무부 차관보·멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사·김정한 주시카고 총영사가 참석했다.

SK에서는 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장·곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등이 참석했다.

SK하이닉스 측은 "글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라며 "인디애나에 건설하는 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 강조했다.

곽 사장은 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 됐다"며 "이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 밝혔다.

홀콤 주지사는 "인디애나주가 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두 주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 말했다.

영 상원의원은 "SK하이닉스가 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미국 행정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 평가했다.

프라바카르 실장은 반도체·과학법 등을 통한 반도체를 포함한 핵심 신흥기술 발전의 중요성을 강조하면서 SK하이닉스 같은 기업들의 투자가 양질의 고용을 창출하고, 글로벌 공급망을 강화해 나가고 있다고 말했다.

SK하이닉스는 미국 행정부에 반도체 생산 보조금 신청서를 제출한 것으로 전해졌다.

치앙 총장은 "SK하이닉스가 AI용 메모리 분야의 글로벌 개척자이자 지배적인 시장 리더"라며 "이 혁신적인 투자는 인디애나주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 강조했다.

조 대사는 "한미동맹을 통해 양국이 견고한 경제협력을 이루게 됐다"며 "이번 투자 및 첨단 패키지 R&D 협력을 통해 한·미 모두 중요한 첨단기술 역량을 증진해 나갈 수 있기를 바란다"고 말했다.